[서울=뉴스핌] 양태훈 기자 = 삼성전자가 연내 10나노미터(10억분의 1미터) 중반 D램을 본격 양산에 들어간다.
허국 삼성전자 상무는 26일 올해 1분기 실적 컨퍼런스 콜에서 "1ynm(10나노미터 중반) D램은 연내 양산이 목표로, 1xnm(10나노미터 후반)과 마찬가지로 안정적인 상황"이라며 "2019년에 비트그로스(비트단위 환산 성장률)가 증가, 올해 2분기 PC용 제품부터 시작해 서버, 모바일 제품으로 확대할 계획"이라고 말했다.
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| <CI=삼성전자> |
낸드플래시에 대해서는 "낸드플래시는 5세대(96단) V낸드의 경우 연내 양산이 목표로 램프업(생산량 확대) 중"이라며 "올해는 4세대(64단) 제품 확대에 주력할 계획"이라고 전했다.
올해 전반적인 공장가동운영 계획에 대해서는 "삼성전자는 전반적인 캐파(공급량) 운영 전략을 추진, 올해 증설 계획은 기존 대비 변동 사항이 없다"며 "화성 공장은 D램을, 평택 공장은 V낸드를 중심으로 운영할 계획으로 올 하반기 평택 상층(2층) 일부를 활용해 10나노급 제품을 생산할 계획"이라고 말했다.
flame@newspim.com
