130㎚·110㎚ 기술 기반...5G 시장 공략
[서울=뉴스핌] 임성봉 기자 = DB하이텍은 130㎚·110㎚ 기술을 기반으로 RF SOI(Silicon-on-Insulator)와 RF HRS(High Resistivity Substrate) 공정을 확보해 RF프론트엔드 사업 확대에 본격적으로 나섰다고 12일 밝혔다.
RF프론트엔드는 무선 통신에 필수적인 제품으로 IT기기간 송신 및 수신을 담당한다.
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DB하이텍이 RF프론트엔드 내 여러 부품 중에서 주력하고 있는 제품은 스위치와 저잡음증폭기(LNA)다. 스위치는 주파수를 송수신할 때 작동 역할을 하고 LNA는 주파수를 증폭시켜 정확한 신호를 전달하는 것으로 5G 등 고속통신에 가장 핵심적인 제품으로 꼽힌다.
DB하이텍은 기존 RF 공정에 누설전류를 차단하거나 최소화하는 SOI와 HRS 웨이퍼를 더해 그 성능을 대폭 개선했다.
특히 130㎚ 기술을 기반으로 한 RF SOI 공정은 스위치의 FOM(Figure of Merit)이 84fs, BV(Breakdown Voltage)가 4.4V의 성능을 나타내고 있다. LNA는 올해 상반기 내 150㎓ 이상의 LNA 제품을 지원할 수 있도록 준비 중이다.
imbong@newspim.com
