[세종=뉴스핌] 임은석 기자 = 삼성전자가 TSMC, 인텔 등 파운드리 경쟁사를 제치고 세계 최초로 3나노 반도체 양산 출하에 성공했다.

25일 산업통상자원부에 따르면 이창양 산업부 장관은 이날 삼성전자 화성캠퍼스에서 개최된 3나노 파운드리 양산 출하식에 참석했다.

이번 3나노 반도체 양산 성과는 삼성전자가 TSMC, 인텔 등 파운드리 경쟁사를 제치고 세계 최초로 달성한 것이다. 기존의 반도체 기술을 혁신적으로 개선한 GAA 구조를 활용했다는 점에서 기술적 의의가 크다.

GAA(Gate-All-Around)는 스위치(게이트)와 통로(채널) 4개면을 접촉하는 방식으로 기존 최신공정인 Fin 구조(3개면 접촉) 대비 전력과 면적은 각각 50%, 30% 줄어들지만 성능은 30% 올라가는 방식이다.

아울러 국내 소부장 기업과 시스템반도체 기업들이 초미세 공정용 소재, 장비, 설계자산(IP) 등을 공동 개발한 점을 고려하면 한국 반도체 산업계가 공동으로 이룬 성과라고 평가된다.

첨단 반도체 제조시설은 국가 안보자산이기 때문에 이번 3나노 반도체 양산 성공은 경제안보 차원에서도 의미가 크다. 앞으로 메모리반도체 생산기지이자 첨단 시스템반도체 생산기지로서 글로벌 반도체 공급망에 기여하는 대한민국의 위상이 한층 높아질 전망이다.

이창양 산업부 장관은 "3나노 공정이 높은 수율을 확보해 안정적으로 안착하기 위해 삼성전자와 시스템반도체 업계, 소부장 업계가 힘을 모아달라"며 "정부도 지난주 발표한 '반도체 초강대국 달성전략'을 바탕으로 민간 투자 지원, 인력 양성, 기술 개발, 소부장 생태계 구축에 전폭적인 노력을 아끼지 않을 것"이라고 밝혔다.

한편 산업부는 3나노 파운드리 시장을 안정적으로 확보하기 위해서는 첨단 반도체에 대한 국내 수요가 중요한만큼 반도체 미래 수요를 견인할 디스플레이, 배터리, 미래 모빌리티, 로봇, 바이오 등 '반도체 플러스 산업'에 대한 경쟁력 강화방안을 순차적으로 수립해 적극 이행할 계획이다.

fedor01@newspim.com