纽斯频通讯社首尔8月10日电 韩国SK海力士近日宣布，公司董事会批准总额约54.3万亿韩元（约合人民币2595亿元）的投资计划，将分别在京畿道龙仁和忠清北道清州新建半导体晶圆厂，以应对人工智能（AI）时代高带宽存储器（HBM）、下一代DRAM和企业级固态硬盘（eSSD）等产品需求持续增长。

根据投资计划，SK海力士将向龙仁半导体集群第二座晶圆厂（Y2）投资35.2万亿韩元，向清州M17晶圆厂投资19.1万亿韩元。

SK海力士表示，此次投资是公司今年6月公布中长期投资战略后的后续举措。按照规划，公司计划向龙仁半导体集群累计投资600万亿韩元，并向清州生产基地扩建项目累计投资100万亿韩元。目前，龙仁一期晶圆厂Y1正在建设中，此次决定意味着龙仁和清州两地后续晶圆厂将同步启动建设。

公司表示，人工智能快速发展正推动全球存储市场持续增长。市场研究机构Omdia预计，从2025年至2030年，全球DRAM和NAND闪存需求将分别保持年均19%的增长。SK海力士认为，存储器已从传统电子元件发展成为人工智能基础设施的重要组成部分，未来市场需求将继续保持增长。

其中，龙仁Y2晶圆厂是龙仁半导体集群规划建设的4座晶圆厂中的第二座，总建筑面积约34.1万坪，主要生产HBM等下一代DRAM产品。项目计划于2027年7月开工，2029年6月启用首个无尘车间，相关投资将持续至2031年10月。

目前建设中的Y1晶圆厂预计于2027年2月启用首个无尘车间。SK海力士还计划将龙仁半导体集群全部4座晶圆厂的建设完成时间由原定的2045年提前至2033年。目前，满足Y2投产需求的一期供电、供水等基础设施建设完成率已达99%。

位于清州的M17晶圆厂将主要面向人工智能带动的NAND闪存需求增长。随着人工智能服务不断普及，企业级固态硬盘需求持续扩大，AI推理过程中产生的数据缓存以及智能体AI、具身智能等新应用的发展，也将进一步扩大NAND闪存的应用场景。

M17晶圆厂总建筑面积约20.6万坪，计划于2027年2月开工，2028年12月启用首个无尘车间，投资周期持续至2031年4月。由于清州已建有M11、M12、M15等NAND生产设施，并已具备较完善的土地、电力和供水基础设施，新项目有望较快形成新增产能。（完）

韩国纽斯频（NEWSPIM·뉴스핌）通讯社