[베이징=뉴스핌] 최헌규 베이징 특파원= 중국 메모리 반도체 기업 창신과기(长鑫科技)가 기업공개(IPO)로 조달한 초과 공모자금 가운데 180억 위안(약 3조6000억원)을 기술 연구개발과 후공정 테스트 설비 확충에 투입한다. 상장한 지 두 달도 채 되지 않은 시점에서 대규모 투자를 단행하며 메모리 반도체 기술 경쟁력과 공급망 내재화에 속도를 내는 모습이다.

29일 상하이의 펑파이신문에 따르면 창신과기는 28일 이사회를 열고 초과 공모자금 180억 위안을 활용해 2개 신규 프로젝트를 추진하기로 했다. 이 가운데 130억 위안은 기술 연구개발 프로젝트에, 50억 위안은 메모리 웨이퍼 후공정 테스트 기지 2기 건설에 각각 투입한다. 해당 안건은 주주총회 승인을 거쳐 최종 확정된다.

장신과기의 IPO 순모집액은 663억1000만 위안으로, 이 가운데 초과 공모자금만 368억1000만 위안에 달한다. 회사는 지금까지 초과 공모자금을 사용하지 않았으며, 이번에 그중 절반에 가까운 금액을 한꺼번에 투입하기로 했다. 투자 이후에도 약 188억 위안의 초과 공모자금이 남게 된다.

연구개발(R&D) 프로젝트의 총 투자액은 241억 위안이다. 중국 안후이성 허페이경제기술개발구에 있는 창신의 12인치 메모리 웨이퍼 생산기지 내에 들어서며 건설 기간은 30개월이다. 회사가 투입하는 130억 위안 가운데 대부분은 장비 구입에 사용되며, 전체 사업비의 92.94%가 장비 구입비로 책정됐다.

창신과기는 이 프로젝트를 통해 제품과 공정 기술을 지속적으로 개선하고 메모리 집적도와 전력 효율, 읽기·쓰기 성능을 높이는 한편 신제품 출시 속도를 높인다는 계획이다. 연구개발 사업의 특성상 별도의 투자수익률은 산정하지 않았으며, 기술 경쟁력 강화가 제품 판매와 사업 성장으로 이어지는 방식으로 수익을 낼 것으로 알려졌다.

나머지 50억 위안은 DRAM 메모리의 후공정 테스트 및 모듈 조립 능력을 확대하는 데 사용된다. 총 108억 위안이 투입되는 '메모리 웨이퍼 후공정 테스트 기지 2기'에는 테스트 공장 한 곳이 들어설 예정이다. 장신과기는 전액 출자 자회사에 증자와 대출 방식으로 자금을 지원한다.

회사는 생산능력 확대와 제품 종류 증가에 따라 향후 외부 후공정 업체의 테스트 물량이 부족해지거나 추가 투자와의 연계가 어려워질 가능성이 있다고 설명했다. 자체 테스트 시설을 확보하면 테스트 물량을 보다 유연하게 조정하고 DRAM 테스트 비용을 낮추는 동시에 웨이퍼 제조부터 테스트·모듈 조립까지 통합하는 IDM(종합반도체기업) 체계를 강화할 수 있다는 것이다.

이번 투자의 특징은 단순히 전공정인 웨이퍼 생산능력을 늘리는 데 그치지 않고 연구개발과 후공정을 동시에 강화한다는 점이다. 창신과기는 이를 통해 DRAM 제품과 공정 기술의 고도화와 생산·테스트 전 과정의 수직계열화를 동시에 추진할 것으로 보인다.

창신과기는 현재 중국 내 특허 4484건, 해외 특허 3400건을 보유하고 있으며 연구개발 인력은 7491명으로 전체 직원의 33%를 웃돈다. 현재 5세대 공정기술 플랫폼을 양산하고 있으며 DDR5, LPDDR5·5X, LPDDR6 등 제품을 생산하고 있다.

다만 회사는 정책과 프로젝트 승인, 시장환경 변화, 공사 지연 및 기술적 난제 등을 위험요인으로 제시했다. 특히 후공정 기지가 예상대로 가동률을 끌어올리지 못할 경우 인건비와 장비 감가상각, 공장 유지비 등이 단기적으로 실적에 부담을 줄 수 있다고 경고했다.

한편 창신과기 주가는 28일 53.80위안으로 4.27% 하락했으며 시가총액은 3조6500억 위안으로 집계됐다.

[베이징=뉴스핌] 최헌규 베이징 특파원 chk@newspim.com