[서울=뉴스핌] 조민교 기자 = 삼성전자가 중국 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 연내 출시를 예고한 차세대 D램 기술 '4F²(포에프스퀘어)'를 개발하고 있다고 공식 확인했다. 중국의 메모리 기술 추격에 대한 우려가 커지는 가운데 삼성전자도 차세대 D램 기술 확보를 추진하고 있다는 점을 밝힌 것이다.

송재혁 삼성전자 디바이스솔루션(DS)부문 최고기술책임자(CTO) 사장은 14일 서울 강남구 코엑스에서 열린 'SEDEX 2026(제28회 반도체대전)' 현장에서 삼성전자도 4F² 기술을 개발하고 있느냐는 취재진의 질문에 "그렇다"고 답했다. 구체적인 개발 진행 상황에 대해서는 "열심히 합니다"라며 말을 아꼈다.

4F²는 D램에서 데이터를 저장하는 최소 단위인 셀의 면적을 줄여 같은 공간에 더 많은 데이터를 담는 기술이다. 현재 널리 사용되는 6F² 구조보다 셀 면적을 약 33% 줄일 수 있어 차세대 D램의 저장 용량과 생산 효율을 높일 기술로 주목받는다.

앞서 중국 최대 D램 업체인 CXMT는 지난 10일 4F² 구조를 적용한 서버용 DDR5 제품을 올해 말까지 출시하겠다는 계획을 밝혔다. 삼성전자와 SK하이닉스도 관련 기술을 연구해 왔지만 생산 비용과 수율 확보 등의 문제로 아직 상용 제품 양산에는 적용하지 않은 것으로 알려졌다.

CXMT의 발표는 국내 반도체 시장에도 충격을 줬다. 중국 업체가 첨단 서버용 D램 시장까지 추격할 수 있다는 우려가 확산하면서 지난 13일 삼성전자와 SK하이닉스 주가는 각각 7.39%, 10.09% 급락했다. 다만 중국 업체의 기술 발표가 실제 대규모 양산으로 이어질지는 불확실하다. 제품의 성능과 수율, 원가 경쟁력 등이 아직 검증되지 않았기 때문이다.

한편 삼성전자는 이날 반도체대전에서 차세대 고대역폭메모리(HBM)인 HBM4E와 3차원 메모리 기술인 zHBM, 2나노 파운드리 공정 등을 선보였다. 메모리부터 반도체 위탁생산, 첨단 패키징까지 아우르는 기술 경쟁력을 강조했다.

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