[서울=뉴스핌] 심지혜 기자 = "삼성전자는 반도체 불모지에서 사업을 시작해 역경을 딛고 업계 1위에 오른 경험이 있다. 파운드리 분야의 최고를 향한 여정도 쉽지 않겠지만 난관을 헤치고 성장해 나갈 것이다."

정은승 파운드리사업부 사장은 3일 서울 그랜드 인터컨티넨탈 파르나스 호텔에서 열린 '삼성 파운드리 포럼 2019 코리아'에서 이같이 말했다. 

삼성 파운드리 포럼은 삼성전자가 국내외 팹리스 고객과 파너스들을 초청해 자사 파운드리의 최신 기술 현황과 응용처별 솔루션을 공유하고, 협력관계를 강화하기 위해 2016년부터 매년 전세계에서 개최하고 있는 행사다. 

정 사장은 "삼성의 파운드리 기술력을 바탕으로 국내 팹리스 업체와 파트너가 함께 성장하도록 노력하겠다"며 "국내 팹리스 기업들이 신시장을 비롯한 다양한 분야에서 활약할 수 있도록 디자인 서비스, 제조, 패키지 등 개발부터 양산까지 협력 생태계를 활성화해 시스템 반도체 산업 발전에 기여하겠다"고 강조했다. 

삼성전자는 이번 포럼에서 인공지능(AI), 5G, 전장, 사물인터넷(IoT) 등 4차 산업혁명 시대를 주도할 최신 극자외선(EUV) 공정 기술부터 저전력 완전공핍형 실리콘 온 인슐레이터(FD-SOI), 8인치 솔루션 등의 파운드리 포트폴리오를 소개했다.

삼성전자는 국내 중소 팹리스 기업들의 수요가 높은 8인치 웨이퍼 공정과 12인치 웨이퍼 공정 등을 확보하고 있다. 

삼성전자는 올해 4월, 133조원 투자와 1만5000명 고용 창출을 통해 2030년까지 시스템 반도체 글로벌 1위를 달성하겠다는 '반도체 비전 2030'을 선포하며 파운드리 고객인 팹리스 업체들의 지원을 약속한 바 있다. 

국내 팹리스 기업에게 7나노 이하 EUV 기반 초미세 공정을 적극 제공해 차세대 첨단 제품 개발을 지원함으로써 국내 시스템 반도체 산업의 경쟁력 확보에도 기여해 나갈 계획이다.

또 팹리스 고객들이 삼성의 파운드리 공정 기술과 서비스를 보다 쉽게 활용할 수 있도록 반도체 디자인하우스를 비롯해 설계자산(IP), 자동화 설계 툴(EDA), 조립테스트(OSAT)까지 국내 파운드리 파트너들과 협력을 확대해 나갈 예정이다.

지난 5월 미국에서 진행한 포럼에서 삼성전자는 전류가 흐르는 통로인 원통형 채널(Channel) 전체를 게이트(Gate)가 둘러싸 전류의 흐름을 더 세밀하게 제어할 수 있는 차세대 트랜지스터 구조의 3나노 GAE(3나노 Gate-All-Around Early) 공정 설계 키트(PDK v0.1, Process Design Kit)를 팹리스 고객에게 배포하기도 했다.

팹리스 반도체 업체 텔레칩스의 이장규 대표는 “올해 스무살이 된 텔레칩스는 삼성의 파운드리 기술 발전과 함께 성장해 왔다고 해도 과언이 아니다”며 “뛰어난 제품으로 시장 경쟁력을 더욱 높여 가기 위해 현재 협력 중인 14나노에 이어 10나노미터 이하 미세 공정에서도 탄탄한 협력을 이어 나갈 계획”이라고 말했다. 

한편, 이날 포럼에는 지난해보다 약 40% 증가한 500명 이상의 팹리스 고객과 파운드리 파트너가 참석했다. 첨단 파운드리 기술 트렌드를 공유하는 전시 부스 운영에도 참여 기업이 2배 가량 늘었다. 

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