[서울=뉴스핌] 김지나 기자 = 삼서전자가 내년 5세대 10㎚(나노미터·1㎚는 10억분의 1m)급 D램을 내년에 양산한다고 밝혔다. 메모리 반도체 시장에서 독보적 입지를 다지고 있는 삼성전자가 앞선 기술력으로 1등 지위를 굳히겠다는 의미다.

삼성전자는 5일(현지시간) 미국 캘리포니아주에서 삼성테크데이를 개최했다. 이 자리에서 삼성전자는 '5세대 10나노급(1b) D램', '8세대·9세대 V낸드'를 포함한 차세대 제품 로드맵을 공개하고, 차별화된 솔루션과 시장 창출을 통해 메모리 기술 리더십을 유지해 나가겠다고 밝혔다.

이정배 삼성전자 메모리사업부장 사장은 "삼성전자가 약 40년간 만들어낸 메모리의 총 저장용량이 1조 기가바이트(GB)를 넘어서고, 이중 절반이 최근 3년간 만들어졌을 만큼 우리는 급변하는 디지털 전환을 체감하고 있다"라며, "향후 고대역폭, 고용량, 고효율 메모리를 통해 다양한 새로운 플랫폼과 상호진화하며 발전해 나갈 것"이라고 밝혔다.

삼성전자는 2023년 '5세대 10나노급 D램'을 양산하는 한편 하이케이 메탈 게이트(High-K Metal Gate) 공정 등 새로운 공정 기술 적용과 차세대 제품 구조를 통해 공정 미세화 한계를 극복할 계획이다. 현재 양산되고 있는 D램은 14나노급이다.

이외에도 삼성전자는 2024년 9세대 V낸드를 양산하고, 2030년까지 1,000단 V낸드를 개발하는 등 혁신적인 낸드 기술로 새로운 패러다임을 제시하겠다고 밝혔다. 삼성전자는 올해 세계 최고 용량의 8세대 V낸드 기반 1Tb TLC(Triple Level Cell) 제품을 양산할 계획이다. 또, 7세대 대비 단위 면적당 저장되는 비트(Bit)의 수를 42% 향상한 8세대 V낸드 512Gb TLC 제품도 공개했다. 이는 512Gb TLC 제품 중 업계 최고 수준이다.

박용인 삼성전자 시스템LSI사업부장 사장은 "사물이 사람과 같이 학습과 판단을 해야 하는 4차 산업혁명 시대에서 인간의 두뇌, 심장, 신경망, 시각 등의 역할을 하는 시스템 반도체의 중요성은 그 어느 때보다 커질 것"이라며, "삼성전자는 SoC, 이미지센서, DDI, 모뎀 등 다양한 제품의 주요 기술을 유기적으로 융합해 4차 산업혁명 시대를 주도하는 '통합 솔루션 팹리스'가 될 것"이라고 밝혔다.

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