[서울=뉴스핌] 서영욱 기자 = 삼성전자가 '초격차' 반도체 기술 경쟁력 회복을 위해 팔을 걷어붙였다. 3분기 역대 최대 규모의 연구개발비를 쏟아 부은 데 이어 올해 반도체 부문에서만 50조원 가까운 시설투자에 나선다.

삼성전자는 '초격차' 경쟁력 회복의 시간을 내년으로 맞춘 모습이다. SK하이닉스와 경쟁에서 밀린 고대역폭메모리(HBM)의 6세대 모델인 HBM4를 내년 하반기까지 양산한다는 계획이다. 2나노 파운드리도 수율 문제를 극복하고 내년 중 양산에 초점을 맞췄다.

◆올해 반도체에 47.9조 투자...R&D는 역대 최대

31일 삼성전자에 따르면 삼성전자는 3분기 시설투자로 12조4000억원을 집행했다. 올 연간 시설투자 계획은 약 56조7000억원으로, 디바이스솔루션(DS) 부문에서만 47조9000억원이 투자될 계획이다. 파운드리는 시장 상황과 효율성을 고려해 투자 규모가 축소될 전망이지만, HBM과 DDR5 등 고부가가치 제품 중심으로 투자를 강화, 전년 수준의 시설 투자에 나선다는 계획이다.

특히 삼성전자는 3분기에 분기 기준 최대 규모의 8조8700억원의 연구개발비(R&D)를 투자했다. 삼성전자는 반도체 부문 시설과 R&D에 투자를 늘려가며 기술 경쟁력을 확보한다는 목표다.

◆3분기 반도체 선방, 일회성 비용 등 반영

삼성전자는 3분기 디바이스솔루션(DS) 부문에서 매출 29조2700억원과 영업이익 3조8600억원을 기록하며 선방했다는 평가다.

메모리 부문은 고부가가치 메모리 제품의 판매 확대에 힘입어 실적을 끌어올렸다. 특히 HBM, DDR5, 서버용 SSD 등의 판매가 증가하면서 수익성을 견인했다. 그러나 재고평가손 환입 규모 축소, 일회성 비용 증가, 환율 등의 영향으로 이익은 감소했다.

시스템LSI 부문은 매출 극대화와 재고 최소화로 매출은 증가했지만, 일회성 비용 증가로 인해 실적은 하락했다. SoC 부문은 플래그십 제품의 새로운 고객사 확보로 판매량이 증가했고, DDI의 판매도 확장됐다.

파운드리는 모바일 및 PC 수요 회복이 기대보다 저조해 전 분기 대비 실적이 하락했다. 그러나 최첨단 노드 중심으로 수주 목표를 달성하며, 2나노 GAA PDK를 고객사에 배포하는 등 첨단 기술 개발에 집중하고 있다.

◆4분기 자체 AP '엑시노스 2400' 공급 확대 나서

삼성전자는 올 4분기 메모리 부문 수익성 개선을 목표로 하고 있다. 서버용 HBM과 DDR5 판매 확대를 추진하며, 1b 나노 전환 가속화를 통해 고용량 서버 수요에 대응할 예정이다.

시스템LSI는 엑시노스 2400 공급 확대와 IT용 DDI 제품 상용화에 중점을 두고 있다. 파운드리는 2나노 GAA 양산성 확보 등을 통해 고객 확보에 주력할 방침이다.

◆'수율 문제 극복'...내년 HBM4·2나노 양산에 초점

내년 삼성전자는 AI와 연계된 데이터센터 투자가 증가하면서 고성능 및 고용량 메모리 제품의 수요가 확대될 것으로 보고 있다. 이를 위해 첨단공정 비중을 높이고 HBM3E 판매를 확대하는 한편 HBM4는 내년 하반기 개발 및 양산을 진행할 예정이다.

시스템LSI는 주요 고객사 플래그십 제품에 SoC 공급을 집중하는 한편, 차세대 2나노 제품 준비에 집중할 계획이다. 이미지 센서는 기능 차별화를 통한 신규 제품 공급을 확대하고, DDI는 패널 디스플레이구동칩(PDDI)과 타이밍 콘트롤러(T-CON)를 통합한 솔루션 개발 등을 통해 제품 차별화를 추진할 방침이다.

파운드리는 첨단공정 양산성 확보를 통해 매출 확대를 추진하고 2025년 2나노 양산 성공을 통해 주요 고객 수요를 확보할 계획이다. 또 메모리 사업부와 협력해 HBM 버퍼 다이(Buffer Die) 솔루션을 개발해 신규 고객 확보를 추진할 방침이다. 

syu@newspim.com