[서울=뉴스핌] 김아영 기자 = SK하이닉스는 장태수 미래기술연구원 산하 담당 부사장이 지난 19일 서울 중구 대한상공회의소(이하 대한상의)에서 열린 '제52회 상공의 날' 기념 행사에서 대통령 표창을 받았다고 20일 밝혔다.

상공의 날은 산업 및 경제 발전을 이끈 상공업자 노고를 기리고, 기업 경쟁력을 높이기 위해 제정된 기념일이다. 매년 상공업 발전에 기여한 기업인·근로자·단체를 시상한다.

이날 장 부사장은 세계 최초로 최단 기간 내 10나노미터(㎚)급 6세대(1c) 미세공정 기술이 적용된 16기가비트(Gb) DDR5 D램을 개발해 국내 반도체 산업 경쟁력을 높인 공로로 대통령 표창을 수상했다.

장 부사장은 20년간 메모리 선행 기술 및 소자 연구에 매진한 전문가로, 44㎚ 10㎚까지 10세대에 걸쳐 핵심 기술 개발에 참여했다.

특히 그는 기존 소자의 미세화 한계를 극복하기 위해 말 안장 모양의 FinFET인 Saddle-Fin 구조를 개발, D램 셀 트랜지스터에 성공적으로 적용해 44나노 D램을 세계 최초로 양산하는 데 기여했다. 향후 이 기술은 모든 D램 제조사로 확산돼 업계 표준으로 자리잡았다.

'1c D램 개발 TF'에서 소자 총괄 리더로 참여한 이후 장 부사장은 세계 최초로 최단 기간 내 1c DDR5 D램을 개발하는 성과를 냈다. 1c 공정 기술은 메모리 성능을 높이고 전력 소비를 줄이는 첨단 선행 기술로 HPC(고성능 컴퓨팅) 및 AI 성장의 필수 기술로 여겨진다.

장 부사장은 "선배님들이 다져놓은 튼튼한 뼈대 위에 구성원이 힘을 합쳐 이룬 성과"라며 "모두를 대신해 상을 받은 것"이라고 소감을 밝혔다.

그는 "이번 성과는 세계최초, 최단 기간 내 개발을 통해 SK하이닉스가 가장 먼저 기술 주도권을 확보했다는 것이 의미가 있다"고 말했다.  

이어 "앞으로 마주할 수많은 어려움 속에서도 자신감을 잃지 말고 힘을 합친다면 반드시 값진 성과로 돌아올 것으로 믿는다"며 "원팀과 실패 공유의 문화를 지속해서 실천하는 것이 중요하다"고 강조했다.

장 부사장은 미세공정 혁신에 더욱 속도를 낸다는 방침이다.

그는 "데이터 저장을 담당하는 캐패시터의 면적을 확보하기 위해 고유전율 소재 및 새로운 구조의 캐패시터 개발에 주력하고 있고, 셀 트랜지스터의 누설 전류를 최소화하고자 구조 혁신에도 힘쓰는 중"이라며 "지금의 성공을 차세대 기술 개발로 이어갈 것"이라고 말했다.

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