纽斯频通讯社首尔6月25日电 最新调查报告显示，韩国三星电子在2026年第一季度全球DRAM和NAND闪存市场均保持第一；SK海力士则在高带宽存储器（HBM）市场维持过半份额，延续AI内存领域领先地位。

市场研究机构Counterpoint Research 25日发布的报告显示，按销售额计算，今年第一季度三星电子在全球DRAM市场的份额为38%，位居第一；SK海力士和美国美光公司分别以29%和22%的市场份额位列第二、第三。

这是三星电子连续第二个季度位居全球DRAM市场首位。中国企业市场份额继续提升，长鑫存储（CXMT）DRAM市场份额升至8%。同期，全球DRAM市场销售额环比增长80%，同比增长260%。

在AI存储领域，SK海力士继续保持HBM市场领先地位。今年第一季度，SK海力士以58%的市场份额位居全球HBM市场第一，三星电子和美光均占21%，并列第二。

尽管SK海力士HBM市场份额较去年同期的69%有所下降，但仍保持在50%以上。业内认为，随着AI加速器需求持续增长，SK海力士仍保持着HBM市场主导地位。

在NAND市场，三星电子继续保持领先地位。今年第一季度，三星电子市场份额为29%，SK海力士以18%位居第二，日本铠侠以14%位列第三，美光、闪迪和中国长江存储市场份额均为13%。（完）

韩国纽斯频（NEWSPIM·뉴스핌）通讯社