[서울=뉴스핌] 서영욱 기자 = SK하이닉스가 인공지능(AI) 시대 메모리 수요 증가에 대응하기 위해 용인과 청주에 신규 팹(Fab)을 건설한다. 고대역폭메모리(HBM)를 비롯한 차세대 D램과 기업용 솔리드스테이트드라이브(eSSD) 수요 확대에 대비해 약 54조원을 투입한다.

SK하이닉스는 7일 이사회 결의를 거쳐 용인 'Y2'와 청주 'M17' 팹 건설에 각각 35조2000억원, 19조1000억원을 투자하기로 결정했다고 밝혔다.

이번 투자는 지난 6월 발표한 중장기 투자 전략의 후속 조치다. SK하이닉스는 용인 반도체 클러스터에 600조원, 청주 생산기지 확대에 100조원을 투입할 계획이다. 현재 용인 1기 팹인 Y1을 건설하고 있으며 이번 결정으로 용인과 청주에서 후속 팹 건설에 동시에 착수한다.

대규모 증설에 나선 배경에는 AI 확산에 따른 메모리 시장의 구조적 성장이 있다. 시장조사업체 옴디아에 따르면 D램과 낸드 수요는 지난해부터 2030년까지 각각 연평균 19% 성장할 전망이다. SK하이닉스는 메모리가 단순 부품을 넘어 AI 성능을 좌우하는 핵심 인프라로 자리 잡으면서 수요 증가가 장기화할 것으로 보고 있다.

용인 Y2는 용인 반도체 클러스터에 순차적으로 들어설 총 4개 팹 가운데 두 번째 팹이다. 연면적 34만1000평 규모의 D램 생산 거점으로 내년 7월 착공해 2029년 6월 첫 번째 클린룸을 열 예정이다. HBM을 비롯한 차세대 D램을 생산하며 투자는 2031년 10월까지 순차적으로 집행된다.

현재 건설 중인 Y1은 내년 2월 첫 클린룸을 열 예정이다. SK하이닉스는 당초 2045년이었던 용인 반도체 클러스터 완공 목표를 12년 앞당겨 2033년까지 4개 팹 건설을 마칠 계획이다. Y2 가동에 필요한 1단계 전력·용수 인프라도 공정률 99%로 마무리 단계에 들어갔다.

청주 M17은 AI용 낸드 수요 확대에 대응한다. AI 서비스 확산으로 eSSD 수요가 늘어나는 가운데 AI 추론 과정에서 발생하는 KV 캐시 저장과 에이전틱·피지컬 AI 확산으로 낸드의 활용 범위도 넓어질 것으로 예상된다.

M17은 연면적 20만6000평 규모로 내년 2월 착공해 2028년 12월 첫 클린룸을 연다. 투자 기간은 2031년 4월까지다. 청주에는 기존 낸드 생산시설인 M11·M12·M15가 있고 부지와 전력·용수 인프라도 상당 부분 확보돼 있어 신규 생산능력을 빠르게 확충할 수 있다는 설명이다.

SK하이닉스는 팹 건설을 선제적으로 진행하되 클린룸 증설과 장비 투입은 실제 고객 수요에 맞춰 단계적으로 진행할 방침이다. 생산시설을 미리 확보하면서도 수요 변화에 따라 생산능력을 조절해 투자 효율성을 높이겠다는 전략이다.

SK하이닉스 관계자는 "AI 시대에는 기술 경쟁력만으로 충분하지 않으며 고객이 필요로 하는 시점에 필요한 물량을 공급할 수 있는 능력이 곧 경쟁력"이라며 "선제적 생산 기반 확보를 통해 글로벌 AI 반도체 공급망 안정에 기여하는 AI 인프라의 핵심 파트너로 자리매김하겠다"고 말했다.

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