AI 핵심 요약
beta- 신공주식은 2026년 상반기 매출 2억1600만 위안을 기록했다.
- 대구경 실리콘 소재가 46.05% 늘고 실리콘 부품은 38.57% 줄었다.
- CXMT 공급망 진입과 SiC 부품 확대로 성장동력을 넓혔다.
!AI가 자동 생성한 요약으로 정확하지 않을 수 있어요.
CXMT 공급망 진입, 메모리 증설 수혜 기대
소재에서 웨이퍼∙부품∙ SiC'로 사업 다각화
4대 제품라인, 반도체 공급망 전방위 공략
반도체 호황 속 신공주식 미래 성장성 진단
이 기사는 9월 8일 오후 3시10분 '해외 주식 투자의 도우미' GAM(Global Asset Management)에 출고된 프리미엄 기사입니다. GAM에서 회원 가입을 하면 9000여 해외 종목의 프리미엄 기사를 보실 수 있습니다.
[서울=뉴스핌] 배상희 기자 = <[中 거인의 공급망] ①식각용 실리콘 부품 '신공주식' 없으면 'CXMT'도 없다>에서 이어짐.
◆ 핵심 사업의 재편 & 성장동력 다변화
올해 상반기 성적표를 분석해보면, 다음과 같은 재편의 흐름이 포착된다.
1. 해외 시장 업황 개선, '대구경 실리콘 소재' 고속성장
해외 반도체 시장 회복에 힘입어 대구경 실리콘 소재 사업이 빠르게 성장하고 있다.
2026년 상반기 대구경 실리콘 소재 매출은 1억3500만 위안으로 전년 동기 대비 46.05% 증가했다. 회사는 해외 반도체 시장의 회복세에 대응해 시장 상황에 따라 생산능력을 확대하고, 해외 고객 대상 제품과 수출 물량을 늘릴 계획이다.
반면, 실리콘 부품은 고객사의 구매계획 조정 영향으로 매출이 38.57% 감소해 6899만700 위안에 그쳤다.
이로 인해 신공주식의 수익창출원 순위도 뒤 바꼈다. 2025년 기준 최대 매출 비중을 차지했던 실리콘 부품의 매출 비중은 올해 상반기 31.88%로 하락해 2위로 밀렸고, 대구경 실리콘 소재의 매출 비중은 62.45%를 기록해 1위로 올라섰다.

2. '실리콘 부품'은 고기술·고마진 제품에 집중
실리콘 부품은 일시적인 고객사 구매계획 조정으로 매출이 감소했지만, 고부가가치 제품 중심으로 사업 구조의 재편이 이뤄지고 있어 주목된다.
회사는 소재부터 부품까지 이어지는 생산체계와 기술력을 바탕으로 고기술·고마진 제품 중심의 제품 및 고객 포트폴리오 개선을 추진하고 있다.
특히 실리콘 부품은 고급 메모리 제조에 사용되는 플라즈마 식각 공정의 핵심 소모품이다. 반도체 생산라인의 가동률이 높아지고 식각 강도와 횟수가 증가할수록 해당 부품의 소비량도 늘어난다는 점에서 성장 잠재력이 크다는 평가가 나온다.
회사의 실리콘 부품 제품은 이미 중국산 플라즈마 식각장비 업체와 집적회로 제조업체에 전면적으로 도입됐으며, 이에 따라 고객 구조도 개선되고 있다. 향후 더 큰 성장 공간과 강한 성장동력을 확보할 것으로 기대된다.
3. '대형 실리콘 웨이퍼' 틈새시장 공략 확장
반도체 대형 실리콘 웨이퍼 사업은 업계 전반의 회복과 경쟁 구도 개선의 수혜를 받고 있다.
회사는 시장 기회를 포착해 주요 고객을 대상으로 이미 소량 출하를 시작했으며, 틈새시장 육성에서도 뚜렷한 성과를 거두면서 생산라인 가동률도 상승했다.
2026년 상반기 매출은 1110만3300 위안으로 전년 동기 대비 268.98% 급증했다. 매출총이익률은 -5.05%로 여전히 적자였지만, 전년 동기보다 크게 개선되며 흑자 전환에 근접했다.
이와 함께 회사는 해당 사업의 향후 고품질·차별화 발전을 담당할 주체로 전액 출자 자회사인 베이팡징위안반도체과기베이징유한공사(北方晶圓半導體科技北京有限公司)를 설립하며 고품질 웨이퍼 사업 확장에 속도를 내고 있다.
4. SiC 진출, '실리콘 소재·부품+세라믹 부품' 플랫폼 구축
SiC 세라믹 부품은 신공주식이 차세대 성장동력으로 집중 육성하는 영역이다.
회사는 자회사 진저우정진반도체유한공사(錦州精辰半導體有限公司)를 통해 탄화규소(SiC) 세라믹 부품 사업을 추진하고 있다.
탄화규소 세라믹 부품은 고온 내성, 플라즈마 내식성, 높은 열전도율, 고순도 등의 우수한 특성을 갖추고 있으며 식각, 박막 증착, 이온주입, 에피택시, 열처리, 산화, 확산 등 다양한 반도체 장비에 폭넓게 적용될 수 있다. 이에 따라 첨단 공정 반도체 제조에 사용되는 핵심 소모품으로 꼽힌다.
회사는 '화규소 세라믹 부품 연구개발 및 산업화 건설 프로젝트' 추진할 계획이다.
이를 통해 기존 '실리콘 소재+실리콘 부품'에서 '실리콘 소재+실리콘 부품+세라믹 부품'의 플랫폼형 제품 포트폴리오를 한층 더 강화할 수 있을 것으로 기대하고 있다.

◆ 둔화 단계 진입 '수익성', 개선 핵심 변수는?
올해 상반기 영업수익은 2억1600만 위안으로 전년 동기 대비 3.78% 증가한 반면, 지배주주 귀속 순이익은 4108만5400 위안으로 지난해 같은 기간과 비교해 15.87% 줄었다. 순이익에서 일회성 요인을 제외한 비경상손익 제외 순이익은 3769만 위안으로 21.47% 감소했다.
매출 증가에도 이익이 줄어든 것은 제품·고객 구조를 조정하는 과정에서 연구개발 투자와 기간비용 등이 늘어난 영향이 컸다. 회사 측은 상반기 매출 증가 배경으로 고객 및 제품 구조 조정과 해외시장 수요 증가를 꼽았으며, 동시에 연구개발 투자를 확대했다고 설명했다. 실제 연구개발비가 매출에서 차지하는 비중은 7.88%로 전년 동기 대비 2.50%포인트 상승했다.
신공주식의 수익성은 지난해 말 정점을 찍은 이후 매출총이익률과 순이익률이 빠르게 낮아지면서 수익성 둔화 국면에 진입한 모습이다.
상반기 매출총이익은 매출과 원가를 기준으로 약 8025만 위안, 매출총이익률은 약 37.08%로 계산된다. 이는 여전히 상당히 높은 수준이지만, 분기별로 보면 지난해 3분기 50.60%, 4분기 51.84%까지 치솟았던 매출총이익률이 올해 1분기 41.31%, 2분기 32.52%로 빠르게 낮아졌다.
순이익률 역시 같은 흐름이다. 상반기 순이익률은 19%이며, 분기별로는 2025년 4분기 32.83%에서 올해 1분기 24.94%, 2분기 15.70%로 하락했다. 즉 상반기 누적으로는 여전히 높은 이익률을 기록하고 있지만, 최근 분기 수익성만 놓고 보면 지난해 말 대비 상당폭 낮아진 상태다.
그럼에도 업계 평균과 비교하면 신공주식의 수익성은 업계 평균과 중위수를 웃도는 양호한 흐름을 보이고 있다. 따라서 현재 상황을 수익성 악화 자체보다는 높았던 수익성이 정상화되는 과정으로 보는 것이 보다 적절하다.
결론적으로 신공주식의 현재 수익성은 '업계 평균을 크게 웃도는 양호한 수준이지만, 지난해 말의 높은 수익성에서는 상당히 후퇴한 상태'로 요약할 수 있다.
매출은 증가세를 유지하고 있지만 실리콘 부품 매출 감소와 연구개발·비용 증가로 순이익이 감소하고 있어, 향후 수익성 회복에 있어 실리콘 부품 사업의 매출 정상화와 고부가가치 제품 비중 확대 여부가 핵심 변수가 될 전망이다.

◆ CXMT 공급망 진입…중국 메모리 증설 수혜 기대
중국 주요 메모리 제조업체 공급망으로 실리콘 부품 적용처를 확대해온 신공주식은 CXMT 공급망 협력도 진행하고 있다.
신공주식은 과거 투자자 질의응답에서 CXMT에 대한 현장 실사를 완료했으며 당시 샘플 인증 단계에 있다고 밝힌 바 있다.
이후 2026년 반기보고서에서는 실리콘 부품이 중국 본토 주요 메모리 제조업체에 전면적으로 도입됐다고 설명했다.
회사가 생산하는 실리콘 부품은 대구경 실리콘 소재를 가공해 생산하는 플라즈마 식각 공정용 핵심 소모품이다. 반도체 제조사의 생산라인 가동률이 높아지고 식각 공정의 강도와 횟수가 증가할수록 소모품 수요도 늘어나는 구조다.
회사 역시 실리콘 부품이 중국 본토 주요 메모리 제조업체와 플라즈마 식각장비 업체의 공급망에 진입했다고 밝히고 있다.
CXMT는 중국 최대 DRAM 제조업체로, 인공지능 및 서버용 메모리 수요 확대에 대응해 생산능력을 확대하고 있다.
이에 따라 생산라인 가동률과 증설 규모가 확대될 경우 플라즈마 식각 공정에 사용되는 실리콘 부품 수요에도 긍정적인 영향을 줄 가능성이 있다. 다만 CXMT의 증설 물량이 신공주식의 매출로 어느 정도 연결되는지는 공개자료만으로 확인하기 어렵다.
실리콘 부품은 대구경 실리콘 소재와 함께 회사의 신공주식의 핵심 사업축으로 자리 잡고 있다. 특히, 실리콘 부품 사업에서 고기술·고마진 제품 중심으로 제품 및 고객 구조를 최적화하고 있다는 점에서 주목된다.
pxx17@newspim.com













