AI 핵심 요약
beta- SK하이닉스가 2일 컴퓨텍스 2026에서 엔비디아와 AI 메모리 협력 제품을 대거 공개했다.
- HBM3E·HBM4·HBM4E와 서버용 D램·eSSD를 전면 배치해 AI 서버·데이터센터용 메모리 기술 리더십을 강조했다.
- HBF·CXL 등 차세대 메모리 기술을 선보이며 AI 인프라 전반으로 포트폴리오를 확대하겠다는 전략을 밝혔다.
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HBF·SOCAMM2 등 차세대 인프라 기술도 전시
[서울=뉴스핌] 김정인 기자 = SK하이닉스가 대만 타이베이에서 열린 컴퓨텍스 2026에서 고대역폭메모리(HBM)를 비롯한 인공지능(AI) 메모리 포트폴리오를 대거 선보였다고 2일 밝혔다. 엔비디아와의 협력 제품을 전면에 배치하며 AI 반도체 시장에서 메모리 기술 리더십을 강조했다.
SK하이닉스는 이날부터 오는 5일까지 대만 타이베이 난강 전시센터에서 열리는 컴퓨텍스 2026에 참가해 'At the core of the AI wave – Memory'를 콘셉트로 전시 부스를 운영했다.
◆ 엔비디아 플랫폼 옆에 선 SK 메모리
SK하이닉스는 부스 내 'AI 팩토리 존'을 통해 엔비디아 주요 제품과 자사 AI 메모리 솔루션을 함께 전시했다. 엔비디아의 최신 슈퍼컴퓨터 'DGX Spark'에는 SK하이닉스의 LPDDR5X를, 최신 AI 가속기 'GB300'에는 HBM3E를 함께 배치했다.
차세대 AI 플랫폼을 겨냥한 제품도 공개했다. SK하이닉스는 엔비디아의 차세대 슈퍼칩 '베라 루빈(Vera Rubin) 200' 모형과 함께 SOCAMM2와 HBM4를 전시했다. 'Scalable AI with Confidence'라는 문구를 통해 향후 AI 인프라 시장에서도 엔비디아와의 협력 관계를 이어가겠다는 점을 부각했다.
◆ HBM4 앞세워 서버 메모리 공략
HBM 제품군도 전면에 배치했다. SK하이닉스는 HBM3E 36GB 12단, HBM4 48GB 16단, HBM4E 48GB 12단 등을 소개했다. HBM 개발 역사를 담은 'Chronicle of SK hynix's HBM' 전시물과 HBM4E 내부 구조 모형도 함께 선보이며 기술 축적 과정을 강조했다.
서버용 D램과 기업용 SSD(eSSD) 제품도 공개했다. AI 워크로드에 맞춘 3DS RDIMM 256GB, 10나노미터급 6세대 공정 기술을 적용한 RDIMM 64GB, DDR5 MRDIMM 128GB 등이 소개됐다. eSSD 제품으로는 액체냉각을 지원하는 PEB210 E1.S와 고용량·저전력 제품인 PS1110 E3.S, SK하이닉스 최초 QLC 기반 eSSD인 PS1101 E3.S가 전시됐다.
◆ HBF·CXL로 미래 인프라 확장
미래 AI 인프라를 겨냥한 차세대 메모리 기술도 주목을 받았다. SK하이닉스는 HBM처럼 TSV 기술로 낸드를 수직 적층하는 새로운 개념의 메모리인 HBF를 소개했다. 이와 함께 대규모언어모델(LLM) 로딩 시간을 줄이는 ZUFS 4.1, LPDDR5X 기반 모듈 LPCAMM2, CXL 2.0+ 기술이 적용된 CMM-DDR5 등도 선보였다.
SK하이닉스는 이번 전시를 통해 AI 서버와 데이터센터, AI PC까지 아우르는 메모리 포트폴리오를 제시했다. HBM 중심의 고성능 제품뿐 아니라 저전력 D램, eSSD, 차세대 인터페이스 기반 제품을 함께 공개하며 AI 인프라 전반으로 사업 영역을 넓히겠다는 전략이다.
SK하이닉스는 "이번 COMPUTEX 2026을 통해 전 세계에서 찾아온 관람객들에게 주요 파트너들과 함께 AI 기술의 미래를 그려가는 SK하이닉스의 기술 리더십을 선보이는 동시에, 주요 AI 메모리 제품과 차세대 기술 비전을 폭넓게 알리는 데 집중했다"며 "앞으로도 변화하는 AI 트렌드에 민감하게 대응해 나가며, 다가올 AI 시대에도 글로벌 메모리 시장을 선도해 나가겠다"고 말했다.
kji01@newspim.com
