纽斯频通讯社首尔12月4日电 消息称,韩国三星电子近日完成第六代高带宽存储器(HBM4)内部质量验证,已做好量产准备。公司已完成生产准备批准(PRA),若客户样品测试获得通过将立即启动量产。
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| 三星电子。【图片=纽斯频通讯社】 |
据业界4日消息,三星电子已于2日完成HBM4的PRA程序。
PRA是内部质量评估的最后阶段,只有在良率、性能与设计稳定性达到量产标准时才能通过。业界推测,若客户质量测试在短期内完成,三星电子将立刻启动生产线。
HBM4的技术性能较前代大幅提升。三星电子将10纳米级(1c)第六代DRAM核心与采用4纳米代工工艺的逻辑芯片结合,使运行速度提升至每秒11Gb以上。
业内认为,这意味着三星已凭借较高的技术完成度具备应对下一代人工智能(AI)半导体需求的能力。
三星电子目前已向英伟达(NVIDIA)、谷歌等主要客户提供样品,预计最快本月完成质量测试。获得最终批准后,三星将以平泽P4产线为中心量产并计划在2026年提升供货速度。
随着英伟达宣布明年下半年量产下一代Rubin CPU及谷歌加大面向TPU的HBM采购力度,在AI需求持续扩大的背景下,高带宽存储器市场供应竞争有望进一步加强。(完)
韩国纽斯频(NEWSPIM·뉴스핌)通讯社









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