[베이징=뉴스핌] 조용성 특파원 = 중국이 65조원 규모의 국영 반도체 투자 펀드를 조성했으며, HBM(고대역폭메모리) 분야에 집중 투자할 것으로 전해졌다.

중국 국무원 재정부의 주도로 국가집적회로산업투자기금 3기(3기 대기금)가 설립됐다고 중국 증권시보가 28일 전했다.

3기 대기금의 자본금은 3400억위안으로 한화로는 약 65조원이다. 중국 국무원 재정부를 필두로 국가개발은행, 상하이궈성(國盛)그룹, 공상은행, 건설은행, 농업은행, 중국은행 등 19곳의 기관 및 기업이 출자했다. 재정부가 전체 자본금의 17.4%를, 국가개발은행이 10.4%를 출자했다. 

2014년 9월 설립된 1기 대기금의 자본금이 987억위안이었고, 2019년 10월 설립된 2기 대기금의 자본금이 2041억위안이었던 점에 비하면, 3기 대기금은 최대 규모의 중국 국영 반도체 펀드라고 볼 수 있다.

증권시보는 반도체 업계 관계자들의 발언들을 근거로 3기 대기금은 반도체 소재, 부품, 장비 등에 대한 투자를 이어가는 한편, HBM과 AI반도체에도 집중 투자할 것이라고 전했다.

특히 HBM 분야는 AI 산업 발전을 위해 필수적이면서도 중국의 경쟁력이 한참 뒤쳐진 것으로 평가받고 있다. 글로벌 금융기관인 화이트오크캐피털은 최근 보고서를 통해 "중국의 HBM 분야 경쟁력은 선진국과 10년정도 격차가 있다"고 평가한 바 있다.

우선 창신춘추(長鑫存储, CXMT)가 3기 대기금의 투자를 받을 것으로 예상된다. 중국내 최대 DRAM업체인 CXMT는 현재 HBM 제조에 있어서 중국내 선두 경쟁력을 지니고 있는 업체로 평가된다. CXMT는 지난해 11월 LPDDR5를 출시한 바 있다. LPDDR은 저전력 모바일용 D램반도체를 뜻한다. CXMT는 이미 미국, 중국, 대만 등지에서 130여개 특허를 출원해 놓은 상태이며, 이 중 절반은 올해 출원됐다. 올해 출원된 특허의 상당수가 HBM3 개발에 연계된 것으로 평가된다.

또한 우한신신(武漢新芯)과 싱신춘추(興芯存儲) 역시 3기 대기금의 투자를 유치할 가능성이 높은 업체로 꼽힌다. 우한신신은 12인치 HBM 웨이퍼를 월 3000장 생산하는 공장을 지난 2월 착공했다. 메모리반도체 팹리스(반도체 설계 전문업체)인 싱신춘추는 'D램 비트 바이 비트 리페어' 글로벌 특허를 보유하고 있으며, 이 특허는 HBM 개발에 사용될 수 있다.

한편, 1기 대기금은 반도체 파운드리에 집중 투자했으며, 2기 대기금은 식각, 박막, 테스트, 세정 등 반도체 장비와 웨이퍼, 포토레지스트, 마스크 등 반도체 소재 분야에 주로 투자했다.

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