[서울=뉴스핌] 김지나 기자 = 중국 기업에 국가 핵심 반도체 기술인 10나노대 D램 공정기술을 유출한 삼성전자 전 직원 10명이 재판에 넘겨졌다. 이 가운데 5명은 구속 상태로 기소됐다.

23일 서울중앙지방검찰청 정보기술범죄수사부(부장검사 김윤용)는 삼성전자가 세계 최초로 개발한 10나노대 D램 국가핵심기술을 중국으로 유출한 혐의로 삼성전자 전 직원 5명을 구속기소하고, 나머지 5명을 불구속 기소했다고 밝혔다.

검찰에 따르면 삼성전자는 약 5년간 1조6000억원을 투입해 10나노대 D램 공정기술을 개발했다. 중국 청신메모리반도체(CXMT)는 중국 지방정부가 약 2조6000억원을 투자해 설립한 중국 최초이자 유일한 D램 반도체 업체로, 개발 전 과정에 걸쳐 삼성전자 핵심 기술을 부정하게 사용한 것으로 조사됐다. 이를 통해 중국 최초이자 세계에서 네 번째로 10나노대 D램 양산에 성공했다.

청신메모리반도체는 2016년 5월 설립 직후, 당시 세계 최초이자 유일하게 10나노대 D램 양산에 성공한 삼성전자의 핵심 인력을 영입하고 체계적인 기술 확보 계획을 수립한 것으로 파악됐다.

삼성전자 연구원 출신 피고인들은 청신메모리반도체로 이직하는 과정에서 수백 단계에 달하는 반도체 공정 정보를 필기 형태 등으로 반출해 유출한 혐의를 받고 있다. 또 청신메모리반도체는 개발 과정에서 SK하이닉스의 국가핵심기술도 추가로 확보해, 관련 반도체 기술 개발 정보를 중국 내 설비 환경에 맞게 지속적으로 수정·검증한 끝에 2023년 중국 최초 D램 양산에 성공한 것으로 조사됐다.

검찰은 이 같은 범행으로 청신메모리반도체가 세계 최고 수준의 D램 공정기술을 확보해 고대역폭메모리(HBM) 개발을 위한 발판을 마련했으며, 이로 인한 삼성전자 등의 피해 규모는 최소 수십조원에 이를 것으로 보고 있다.

검찰은 "앞으로도 국가 경제와 기술안보에 직접적인 영향을 미치는 국가핵심기술의 국외 유출 범죄에 대해 엄정하게 대응하겠다"고 밝혔다.

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