AI 핵심 요약
beta- 삼성전자가 16일 미국 새너제이에서 열린 엔비디아 GTC에서 차세대 고대역폭메모리 HBM4E 기술을 공개했다.
- HBM4E는 핀당 16Gbps 속도와 4.0TB/s 대역폭을 지원하며 메모리와 파운드리 역량을 결집한 구조다.
- 삼성전자는 베라 루빈 플랫폼용 메모리와 스토리지를 모두 공급할 수 있는 유일한 기업임을 강조했다.
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베라 루빈 플랫폼 메모리 토털 솔루션 공급 역량 부각
[서울=뉴스핌] 서영욱 기자 = 삼성전자가 엔비디아 GTC(GPU Technology Conference)에서 차세대 고대역폭메모리(HBM4E) 기술과 인공지능(AI) 메모리 토털 솔루션을 공개하며 글로벌 AI 반도체 시장 공략을 강화한다.
HBM4E 실물 칩과 코어 다이 웨이퍼를 처음 공개하고 엔비디아 차세대 '베라 루빈(Vera Rubin)' 플랫폼 메모리 공급 역량을 전면에 내세웠다.
17일 삼성전자에 따르면 16~19일(현지시간) 미국 새너제이에서 열리는 엔비디아 GTC에서 차세대 메모리 기술을 공개했다. 전시에서는 HBM4E 기술력과 AI 플랫폼용 메모리 토털 솔루션 역량을 강조했다.
전시장에는 'HBM4 Hero Wall'을 마련했다. HBM4 기술과 종합반도체 기업(IDM) 경쟁력을 전면에 배치했다. 메모리, 로직 설계, 파운드리, 첨단 패키징을 아우르는 기술 구조를 부각했다.
'엔비디아 갤러리' 공간에서는 양사 협력도 강조했다. 엔비디아 AI 플랫폼을 함께 완성하는 전략적 파트너십을 소개했다.
전시 공간은 AI 팩토리(AI 데이터센터), 로컬 AI(온디바이스 AI), 피지컬 AI 세 구역으로 구성했다. GDDR7, LPDDR6, PM9E1 등 차세대 메모리 아키텍처도 공개했다.
행사 둘째 날인 17일에는 송용호 삼성전자 AI센터장이 발표에 나선다. 엔비디아 차세대 시스템 중요성과 삼성 메모리 토털 솔루션 비전을 설명한다.
삼성전자는 이번 전시에서 HBM4E 실물 칩과 코어 다이 웨이퍼를 처음 공개했다. 1c D램 공정과 삼성 파운드리 4나노 베이스 다이 설계 역량을 결합했다.
HBM4E는 핀당 16Gbps 속도와 4.0TB/s 대역폭 지원을 목표로 개발 중이다. 메모리, 파운드리, 로직 설계, 첨단 패키징 역량을 결집한 구조다.
패키징 기술도 공개했다. HCB(Hybrid Copper Bonding) 기술을 영상으로 소개했다. 기존 TCB 대비 열 저항을 20% 이상 낮췄다. 16단 이상 고적층 구조도 지원한다.
전시장에는 베라 루빈 플랫폼용 HBM4 칩과 파운드리 4나노 베이스 다이 웨이퍼도 배치했다. 차세대 HBM 라인업을 한눈에 확인할 수 있도록 구성했다.
삼성전자는 베라 루빈 플랫폼 메모리 공급 역량도 강조했다. 세계에서 유일하게 모든 메모리와 스토리지를 공급할 수 있다는 점을 내세웠다.
전시에는 루빈 그래픽처리장치(GPU)용 HBM4, 베라 중앙처리장치(CPU)용 소캠(SOCAMM)2, 스토리지 PM1763을 함께 배치했다. 플랫폼 전체 메모리 구조를 보여주는 구성이다.
소캠2는 저전력 D램(LPDDR) 기반 서버용 메모리 모듈이다. 품질 검증을 완료하고 업계 최초 양산 출하에 들어갔다.
PCIe Gen6 기반 서버용 SSD PM1763도 공개했다. 베라 루빈 플랫폼 메인 스토리지 역할을 맡는다. 부스에서는 PM1763이 탑재된 서버로 엔비디아 SCADA(SCaled Accelerated Data Access) 워크로드를 직접 시연했다.
삼성전자는 CMX(Context Memory eXtension) 플랫폼용 스토리지도 공급할 계획이다. PCIe Gen5 기반 서버용 SSD PM1753이 대상이다. 해당 제품은 AI 팩토리 존에서 공개했다.
삼성전자는 AI 데이터센터 확산에 맞춰 고성능 메모리 공급을 확대할 계획이다. 엔비디아와 협력도 AI 인프라 전반으로 확장한다는 전략이다.
syu@newspim.com
